FETS-2000b薄膜鐵電性能綜合測(cè)試儀具有動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn)(DHM)、I-V特性、脈沖(PUND)、靜態(tài)電滯回線(xiàn)(SHM)、疲勞(FM)、漏電流(LM)、電流-偏壓、保持力(RM)、印跡(IM)的測(cè)試功能.，可廣泛地應(yīng)用于如各種鐵電/壓電/熱釋電薄膜、厚膜、體材料和電子陶瓷、鐵電傳感器/執(zhí)行器/存儲(chǔ)器等領(lǐng)域的研究。

FETS-2000b薄膜鐵電性能綜合測(cè)試儀與探針臺(tái)配套使用，可實(shí)現(xiàn)薄膜的鐵電性能測(cè)試。動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試頻率和激勵(lì)測(cè)試電源，用戶(hù)可根據(jù)需要進(jìn)行選擇，動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn)測(cè)試頻率范圍為1mHz～500kHz可選，激勵(lì)測(cè)試電源±10/30/100/200/500VAC可選，也可根據(jù)用戶(hù)需要進(jìn)行定制。

本測(cè)試系統(tǒng)由主控器、探針臺(tái)、計(jì)算機(jī)及系統(tǒng)軟件部分組成。主控器集成了內(nèi)置激勵(lì)測(cè)試電源、電荷積分器、可編程放大器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、通訊總線(xiàn)等功能，系統(tǒng)軟件包括可視化數(shù)據(jù)采集和管理功能，測(cè)試時(shí)，無(wú)需改變測(cè)試樣品的連接，即可實(shí)現(xiàn)滯回，脈沖，漏電，IV等性能測(cè)試。

本測(cè)試系統(tǒng)鐵電性能測(cè)試采用改進(jìn)的Sawyer- Tower測(cè)量方法，與傳統(tǒng)的Sawyer- Tower模式相比，此電路取消了外接電容，可減小寄生元件的影響。此電路的測(cè)試精度僅取決于積分器積分電容的精度，減少了對(duì)測(cè)試的影響環(huán)節(jié)，容易定標(biāo)和校準(zhǔn)，并且能實(shí)現(xiàn)較高的測(cè)量準(zhǔn)確度。

本系統(tǒng)提供外接高壓放大器的接口，對(duì)于需要做高壓測(cè)試、高壓漏電流測(cè)試 的用戶(hù)，可直接擴(kuò)展此功能。

用戶(hù)選擇此款設(shè)備，需向廠家提供測(cè)試頻率、激勵(lì)測(cè)試電壓等要求。

測(cè)試功能：

• 動(dòng)態(tài)電滯回線(xiàn)(DHM)

• I-V特性

• 脈沖(PUND)

• 靜態(tài)電滯回線(xiàn)(SHM)

• 疲勞(FM)

• 漏電流(LM)

• 電流-偏壓

• 保持力(RM)

• 印跡(IM)

可擴(kuò)展部件：

• 探針臺(tái)